FQP2N30
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Anschlüsse, Verbindungen
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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Fairchild/ON Semiconductor FQP2N30
| Artikelnummer: | FQP2N30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
Fairchild/ON Semiconductor FQP2N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP2N30.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V Verlustleistung (max) 40W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 300V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Tc) FQP2N30 Einzelheiten PDF [English] FQP2N30 PDF - EN.pdf -
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